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Innosonix, en colaboración con EPC desde 2020, fue un adoptante temprano de transistores GaN en amplificadores de audio profesionales Clase D, superando las preocupaciones de fiabilidad del sector.
Sus amplificadores multicanal ofrecen racks 1U/2U de alta densidad con 16–32 canales, DSP basado en FPGA y redes Dante/AES67 o MADI para instalaciones de audio inmersivo.
Los diseños basados en GaN apuntan a 50–300 W por canal usando rieles de ±60 V, aprovechando los eGaN FETs EPC2059 de 150 V para mejorar la eficiencia de conmutación y la fidelidad.
Lo que separa a Innosonix del habitual relato de “Clase D bien hecha” no es la potencia bruta, sino un enfoque casi obsesivo en cómo las señales de audio realmente estresan una etapa de salida. En lugar de perseguir RDS(on) cada vez más bajo, la filosofía de diseño se inclina por la optimización de las pérdidas de conmutación, reconociendo que el alto factor de cresta de la música mantiene corrientes medias modestas mientras que las transiciones dominan el comportamiento térmico. Aquí es donde el bajo almacenamiento de carga de GaN y su recuperación inversa despreciable se traducen en beneficios audibles: cruces por cero más limpios, menos ruido de modulación superpuesto a la portadora y una sensación subjetiva de soltura a bajos niveles que las etapas basadas en silicio suelen emborronar. La documentación de fiabilidad inusualmente abierta de EPC también desempeña un papel silencioso pero importante, permitiendo a Innosonix tratar GaN menos como un componente exótico y más como un bloque predecible, acortando la distancia entre el rendimiento teórico y el hardware desplegable.
Desde una perspectiva de sistema, la historia interesante es cuán agresivamente la plataforma equilibra velocidad y control. Los flancos rápidos son un arma de doble filo en diseños multicanal densos, por lo que Innosonix modera deliberadamente el dv/dt con resistencia de puerta en lugar de dejar que el modulador y los parásitos del PCB se enfrenten. El resultado es un piso de ruido más calmado sin sacrificar la precisión temporal que hace atractivo a GaN en primer lugar. El paso de dispositivos a escala de chip a FETs en encapsulado QFN refuerza este pragmatismo: huellas ligeramente mayores, pero una consistencia de soldadura y una resiliencia mecánica muy superiores a lo largo de años de ciclos térmicos. Los primeros contratiempos se atribuyeron, según se informa, a la geometría del esténcil más que al comportamiento del silicio, un recordatorio de que con GaN la disciplina de fabricación es tan crítica como la teoría de circuitos.
De cara al futuro, la implicación más intrigante es arquitectónica más que puramente sonora. Extender GaN más allá de la etapa de salida hacia la conversión de potencia—fuentes resonantes LLC y PFC avanzado—sugiere una convergencia en la que la amplificación y la gestión de energía comparten la misma física de dispositivos rápida y de bajas pérdidas. Para instalaciones que operan las 24 horas, eso significa menos componentes, envolventes térmicos más ajustados y un perfil de estabilidad que escala con el número de canales en lugar de colapsar bajo él. En términos audiófilos, se trata menos de la potencia de titular y más de la confianza de que el amplificador sonará igual en la hora diez mil que en el primer día—silencioso, controlado y sin inmutarse ante la complejidad.
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