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Innosonix arbeitet seit 2020 mit EPC zusammen und gehörte zu den frühen Anwendern von GaN-Transistoren in professionellen Class-D-Audioverstärkern, wobei branchenweite Zuverlässigkeitsbedenken überwunden wurden.
Die Mehrkanalverstärker bieten hochdichte 1U/2U-Racks mit 16–32 Kanälen, FPGA-basiertem DSP sowie Dante/AES67- oder MADI-Netzwerkfähigkeit für immersive Audioinstallationen.
GaN-basierte Designs zielen auf 50–300 W pro Kanal mit ±60-V-Versorgungsschienen und nutzen EPC2059 150-V-eGaN-FETs für verbesserte Schaltwirkungsgrade und Klangtreue.
Was Innosonix von der üblichen Erzählung „Class‑D richtig gemacht“ unterscheidet, ist nicht brachiale Ausgangsleistung, sondern ein nahezu obsessiver Fokus darauf, wie Audiosignale eine Ausgangsstufe tatsächlich belasten. Statt immer niedrigere RDS(on)-Werte zu jagen, setzt die Designphilosophie auf die Optimierung der Schaltverluste und erkennt an, dass der hohe Crest-Faktor von Musik die mittleren Ströme moderat hält, während die Übergänge das thermische Verhalten dominieren. Genau hier führen GaNs geringe Ladungsspeicherung und vernachlässigbare Rückerholung zu hörbaren Vorteilen: sauberere Nulldurchgänge, weniger Modulationsrauschen auf dem Träger und ein subjektives Gefühl von Leichtigkeit bei niedrigen Pegeln, das siliziumbasierte Stufen oft verwischen. Auch die ungewöhnlich offene Zuverlässigkeitsdokumentation von EPC spielt dabei eine leise, aber wichtige Rolle, da sie Innosonix ermöglicht, GaN weniger als exotische Komponente und mehr als berechenbaren Baustein zu behandeln und so die Lücke zwischen theoretischer Leistung und einsetzbarer Hardware zu verkürzen.
Aus Systemsicht ist die interessante Geschichte, wie aggressiv die Plattform Geschwindigkeit gegen Kontrolle abwägt. Schnelle Flanken sind in dichten Mehrkanal-Layouts ein zweischneidiges Schwert, weshalb Innosonix dv/dt bewusst über Gate-Widerstände zügelt, anstatt Modulator und Leiterplattenparasitiken gegeneinander arbeiten zu lassen. Das Ergebnis ist ein ruhigeres Rauschniveau, ohne die zeitliche Präzision zu opfern, die GaN überhaupt erst attraktiv macht. Der Wechsel von Chip-Scale-Bauteilen zu QFN-gekapselten FETs unterstreicht diesen Pragmatismus: etwas größere Footprints, dafür deutlich bessere Löt-Konsistenz und mechanische Robustheit über Jahre thermischer Zyklen. Frühe Probleme wurden Berichten zufolge eher auf die Schablonengeometrie als auf das Silizium zurückgeführt – eine Erinnerung daran, dass bei GaN Fertigungsdisziplin ebenso entscheidend ist wie Schaltungstheorie.
Mit Blick nach vorn ist die spannendere Implikation eher architektonischer als rein klanglicher Natur. Die Ausdehnung von GaN über die Ausgangsstufe hinaus in die Leistungswandlung – LLC-Resonanznetzteile und fortschrittliche PFC – deutet auf eine Konvergenz hin, bei der Verstärkung und Energiemanagement dieselbe schnelle, verlustarme Bauteilphysik teilen. Für Installationen im Dauerbetrieb bedeutet das weniger Komponenten, engere thermische Budgets und ein Stabilitätsprofil, das mit der Kanalzahl skaliert, statt unter ihr zusammenzubrechen. In audiophilen Begriffen geht es weniger um Schlagzeilen-Wattzahlen als um das Vertrauen, dass der Verstärker nach zehntausend Stunden genauso klingt wie am ersten Tag – ruhig, kontrolliert und von Komplexität unbeeindruckt.
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